
Negli ultimi anni, il mondo della fisica dello stato solido e della tecnologia dell’informazione è stato scosso dalla scoperta di una nuova classe di proprietà magnetiche. Per decenni siamo stati abituati a pensare al magnetismo come a una polarità binaria: da una parte i ferromagneti (i classici magneti da frigorifero, dove gli spin degli elettroni puntano tutti nella stessa direzione), dall’altra gli antiferromagneti (dove gli spin si alternano in direzioni opposte, annullando il campo magnetico complessivo). Oggi, però, una nuova forma di ordine magnetico sta emergendo dai laboratori di tutto il mondo: l’altermagnetismo.
L’altermagnetismo unisce il meglio dei due mondi. Come gli antiferromagneti, non produce campi magnetici esterni che disturbano i dispositivi vicini; tuttavia, proprio come i ferromagneti, possiede forti proprietà di trasporto dipendenti dallo spin, rendendolo il candidato perfetto per la spintronica di nuova generazione , una tecnologia che promette di creare memorie per computer (come le MRAM) incredibilmente più veloci, compatte ed efficienti dal punto di vista energetico.
Ma applicare l’altermagnetismo richiede di trovare i materiali giusti e comprendere a fondo come attivarlo. Un recente studio pubblicato sulla prestigiosa rivista scientifica Science Advances ha segnato un punto di svolta fondamentale: gli scienziati hanno dimostrato che il biossido di rutenio ($RuO_2$), un materiale a lungo considerato del tutto privo di magnetismo nella sua forma classica, può manifestare questo comportamento insolito se ridotto a un film ultrasottile sottoposto a deformazione reticolare.
Il mistero del biossido di rutenio: dalla forma massiva ai film ultrasottili
Il biossido di rutenio ($RuO_2$) è stato uno dei primissimi composti teorizzati come potenziale candidato altermagnetico. Tuttavia, per molto tempo la comunità scientifica si è trovata di fronte a un rompicapo: gli studi condotti sul materiale nella sua forma massiva (cioè in campioni tridimensionali ordinari) non hanno mai evidenziato alcuna traccia di ordine magnetico. Dopo accesi dibattiti, la fisica sperimentale era giunta a un consenso: allo stato naturale e denso, il biossido di rutenio non è magnetico.
La svolta è arrivata grazie a un team internazionale di fisici guidato dalla professoressa Ming Yi della Rice University, in stretta collaborazione con Bharat Jalan dell’Università del Minnesota e Milan Radovic del Paul Scherrer Institute.
Come spiegato dalla stessa professoressa Yi, l’errore consisteva nel valutare il materiale solo nelle sue condizioni convenzionali. Riducendo il biossido di rutenio a un film ultrasottile, composto da appena pochissimi strati atomici, le regole del gioco cambiano radicalmente. A scala nanometrica, gli effetti di superficie e le costrizioni fisiche alterano il modo in cui le particelle interagiscono tra loro, permettendo al magnetismo nascosto di riemergere.
Leggere lo spin degli elettroni: come funziona la spettroscopia avanzata
Per confermare se un materiale ultrasottile sia magnetico e di che tipo di magnetismo si tratti, gli scienziati non possono usare una semplice bussola. Hanno bisogno di osservare l’orientamento intimo delle particelle subatomiche: gli spin degli elettroni. Lo spin può essere immaginato come una sorta di piccolo ago di bussola intrinseco che ogni elettrone possiede.
Per osservare questi minuscoli aghi, il team ha impiegato una tecnica analitica all’avanguardia nota come spettroscopia di fotoemissione risolta in angolo e con spin risolto (in inglese Spin- and Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy, o SARPES). Questa tecnica permette di “sparare” luce ad alta energia sul materiale ed espellere gli elettroni, misurandone contemporaneamente la direzione, l’energia e l’orientamento dello spin.
I risultati sperimentalmente ottenuti da Yichen Zhang (primo autore dello studio e neolaureato alla Rice University) e confermati da complessi calcoli teorici, hanno mostrato che le strutture di spin del film ultrasottile di $RuO_2$ sono perfettamente coerenti con le predizioni dell’altermagnetismo. Questo prova che lo stesso composto chimico può passare dall’essere del tutto inerte a mostrare proprietà magnetiche straordinarie, semplicemente modificando il suo spessore e la sua struttura atomica.
La deformazione reticolare: la “manopola” per controllare la fisica quantistica
Una delle scoperte più affascinanti di questa ricerca riguarda il meccanismo molecolare che accende l’altermagnetismo nel biossido di rutenio: la deformazione reticolare (lattice strain).
Quando il film di biossido di rutenio viene depositato su un determinato substrato cristallino, gli atomi del film cercano di adattarsi alla griglia del materiale sottostante. Questo crea una tensione meccanica , una vera e propria sollecitazione atomica o “stretta” , che deforma il reticolo del materiale.
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Senza sollecitazione (come nella forma massiva naturale), la struttura atomica rimane rilassata e gli spin degli elettroni non mostrano alcun ordine alternato.
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Con la deformazione reticolare, gli atomi vengono spinti a una distanza tale da modificare le interazioni quantistiche tra gli elettroni, inducendo l’insorgere dell’altermagnetismo.
Come ha sottolineato Yichen Zhang, questa dipendenza dalla tensione meccanica suggerisce che la deformazione del reticolo non è solo un effetto collaterale della fabbricazione, ma può diventare una vera e propria manopola di regolazione. Regolando intenzionalmente il livello di compressione o stiramento a livello atomico, i ricercatori potrebbero essere in grado di “accendere”, “spegnere” o modulare le proprietà magnetiche del materiale a piacimento.
Considerazioni personali e prospettive future: verso la spintronica e le memorie di domani
L’esito di questo studio va ben oltre il semplice chiarimento di una disputa teorica sul biossido di rutenio; esso apre scenari di straordinaria importanza per la tecnologia quotidiana del prossimo futuro.
Oggi ci troviamo di fronte a un limite fisico imposto dalla microelettronica tradizionale basata sulla carica dell’elettrone. Spostare cariche elettriche genera calore (effetto Joule) e consuma un’ingente quantità di energia, una criticità sempre più evidente nell’era dei datacenter e dei dispositivi portatili. La spintronica, invece, si propone di utilizzare lo spin dell’elettrone anziché la sua carica per elaborare e memorizzare le informazioni.
L’altermagnetismo rappresenta l’anello di congiunzione perfetto per questo salto tecnologico. Poiché non genera campi magnetici dispersi, permette di impaccare miliardi di bit di memoria (come le memorie MRAM) a distanze atomiche senza che un bit interferisca con quello vicino. Inoltre, la capacità di scrivere e leggere i dati basandosi sullo spin consente velocità di commutazione nell’ordine dei terahertz, superando di gran lunga le attuali memorie flash o RAM.
Se consideriamo questa scoperta da una prospettiva filosofica e scientifica più ampia, la ricerca sul $RuO_2$ ci ricorda una lezione fondamentale della fisica dei materiali: la materia non è statica e le proprietà dei materiali non sono scritte nella pietra. Per anni il biossido di rutenio è stato scartato perché “non magnetico nella forma massiva”. È bastato cambiare la geometria del sistema , scendendo alla scala bidimensionale dei film ultrasottili e applicando una pressione controllata , per far emergere un comportamento quantistico completamente nuovo.
In conclusione, il lavoro del team della Rice University, supportato da istituzioni primarie come il Dipartimento dell’Energia degli Stati Uniti e la Fondazione Gordon e Betty Moore, dimostra che il controllo ingegneristico della materia a livello di singoli atomi e deformazioni reticolari sarà la vera chiave di volta per i computer quantistici e l’elettronica di prossima generazione.
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Recentemente, il biossido di rutenio rutilo (RuO2) ha suscitato un rinnovato interesse a causa delle aspettative di una marcata separazione di spin altermagnetica. Tuttavia, le crescenti evidenze sperimentali suggeriscono che, nelle sue forme massiva e in film spesso, il RuO2 non presenta alcuna forma di ordinamento magnetico. Nonostante ciò, la struttura di spin del RuO2 rimane in gran parte inesplorata nel limite ultrasottile, dove la deformazione epitassiale imposta dal substrato può essere sostanziale. In questo lavoro, utilizziamo la spettroscopia di fotoemissione risolta in angolo e risolta in spin, supportata da calcoli ab initio, per rivelare la struttura elettronica di eterostrutture epitassiali di RuO2 spesse 2 nanometri. Osserviamo una struttura di spin non convenzionale caratterizzata dalla coesistenza di componenti dipendenti dal momento pari e dispari rispetto alla simmetria speculare. Un’analisi completa della simmetria esclude origini non magnetiche di questa struttura di spin. Questi risultati suggeriscono un’emergente struttura di spin non relativistica resa possibile dalla deformazione epitassiale nel limite ultrasottile, segnando una netta deviazione dal comportamento del RuO2 rilassato o massivo. Il nostro lavoro apre prospettive inedite per lo studio dei meccanismi di rottura della simmetria e delle texture di spin nelle eterostrutture di ossidi.
Materiale fornito dalla Rice University . Testo originale di Rachel Leeson. Nota: il contenuto potrebbe essere modificato per motivi di stile e lunghezza.
Yichen Zhang, Seung Gyo Jeong, Luca Buiarelli, Seungjun Lee, Yucheng Guo, Jiaqin Wen, Hang Li, Sreejith Nair, In Hyeok Choi, Zheng Ren, Ziqin Yue, Jounghoon Hyun, Tieqiong Zhang, Alexei Fedorov, Sung-Kwan Mo, Hojoon Lim, Adrian Hunt, Iradwikanari Waluyo, Junichiro Kono, Ján Minár, Jong Seok Lee, Tony Low, Turan Birol, Rafael M. Fernandes, Milan Radovic, Bharat Jalan, Ming Yi. Observation of mirror-odd and mirror-even spin texture in ultrathin epitaxially strained RuO 2 films. Science Advances, 2026; 12 (31) DOI: 10.1126/sciadv.aec2917
